Это изображение, предоставленное Samsung Electronics Co. во вторник, показывает технологию стекирования V-NAND (Samsung Electronics Co.)
Компания Samsung Electronics Co. планирует использовать технологию «двойного стека» для разработки флэш-памяти V-NAND нового поколения, заявили во вторник представители отрасли, поскольку крупнейший в мире производитель микросхем памяти пытается еще больше укрепить свои лидирующие позиции в этом секторе.
На форуме инвесторов, состоявшемся в понедельник, Samsung объявила, что будет применять технологию «экстремального двухстека» для своего будущего чипа флэш-памяти NAND и что можно разработать 256-слойное устройство.
«Наша V-NAND шестого поколения поддерживает до 128 слоев с технологией одинарного стека, но если мы применим технологию двойного стека, математически возможно наложение 256 слоев», - сказал Хан Джин Ман, старший вице-президент подразделения Samsung по производству компьютерной памяти, на форуме.
Флэш-память NAND - это тип энергонезависимой компьютерной памяти, в которой хранятся данные даже при отключении питания.
В сегодняшнем производстве флеш-памяти NAND технологическое мастерство производителя можно измерить количеством слоев ячеек памяти, уложенных в устройство, поскольку большее количество слоев означает большую емкость с повышенной битовой плотностью.
Метод двойного стека позволяет быстрее интегрировать большее количество слоев по сравнению с решением с одинарным стеком, но требует более совершенной технологии травления.
Хотя 256-слойная флэш-память NAND является технологически достижимой, Хан сказал, что это не обязательно означает, что NAND следующего поколения от Samsung будет иметь такую конфигурацию слоев.
В настоящее время Samsung разрабатывает седьмое поколение V-NAND, которое, как ожидается, будет запущено в серийное производство в следующем году, но компания пока не представила конфигурацию слоев.
«Фактическое количество слоев, размещенных в чипе, может меняться в зависимости от потребностей потребителей и рыночных условий», - сказал Хан.
«Дело не в том, сколько слоев можно сложить, а в том, какое количество слоев является наиболее оптимальным для рынка на данный момент.
Хан добавил, что пандемия COVID-19 была «болезненным» событием, но благодаря усилиям по цифровизации она вызвала спрос на микросхемы памяти. Он предсказал, что в ближайшие годы спрос как на флеш-память NAND, так и на микросхемы DRAM будет устойчиво расти.
Согласно исследованию рынка TrendForce, Samsung был лидером в мире по производству флеш-памяти NAND с долей рынка 33,1% в третьем квартале года, за ней следовала японская Kioxia Corp. с 21,4% и американский производитель микросхем Western Digital Corp. с 14,3%.
Южнокорейская компания SK hynix Inc. заняла четвертое место с долей рынка 11,3%. (Ренхап)