Samsung приближается к массовому производству чипов HBM4 следующего поколения

Корреспондент Чжо Хе Рим

Первые поставки получат Nvidia и AMD уже в следующем месяце

Чипы HBM3E и HBM4 от Samsung Electronics представлены на выставке Semiconductor Exhibition 2025, проходившей в Coex (Сеул) в октябре прошлого года (Getty Images)

По данным отраслевых источников, опубликованным в понедельник, Samsung Electronics может начать массовое производство своих чипов памяти HBM4 следующего поколения уже в следующем месяце, при этом первые поставки, как ожидается, будут направлены крупным клиентам, таким как Nvidia и AMD.

Этот шаг может стать поворотным моментом для Samsung на рынке высокоскоростной памяти для искусственного интеллекта, где компания в последние годы отставала от своего более мелкого конкурента SK hynix.

По мнению отраслевых экспертов, стремление Samsung сократить разрыв основано на смелом решении использовать 10-нанометровый техпроцесс DRAM шестого поколения (1c-техпроцесс) — впервые в отрасли — несмотря на слабые показатели выхода годной продукции на начальном этапе. Компания также применила более совершенный 4-нанометровый техпроцесс для логического кристалла, который функционирует как блок управления стеком памяти.

Согласно источникам, Samsung недавно прошла заключительные квалификационные тесты, проведенные Nvidia и AMD, и теперь готовится к запуску массового производства в следующем месяце. Ожидается, что чипы HBM4 будут использоваться в ускорителях искусственного интеллекта следующего поколения, выпуск которых запланирован на вторую половину этого года, включая платформу Nvidia Rubin и AMD MI450.

Эти события происходят на фоне сообщений о том, что ведущие заказчики чипов для ИИ пересмотрели свои квалификационные стандарты, повысив требования к скорости и смягчив ограничения по температуре — фактически отдавая приоритет производительности, а не запасу по рабочей температуре.

По словам экспертов отрасли, изменения произошли после недавних достижений в разработке специализированных ускорителей ИИ, включая тензорные процессоры Google, которые в прошлом году продемонстрировали производительность ИИ, сопоставимую или превосходящую производительность графических процессоров Nvidia.

В последних квалификационных тестах чипы HBM4 от Samsung достигли скорости передачи данных 10,7 гигабит в секунду, что соответствует требованию Nvidia в 10 Гбит/с, как сообщил эксперт отрасли, пожелавший остаться анонимным. Для сравнения, SK hynix и Micron Technology показали скорость около 8,3 Гбит/с и примерно 8 Гбит/с соответственно.

«Изменение рыночного спроса повысило планку скорости, одновременно позволив работать при более высоких температурах», — сказал эксперт изданию The Korea Herald. «Решение Samsung продолжить работу над 1c-техпроцессом DRAM, несмотря на очень низкий начальный выход годной продукции, по-видимому, сыграло решающую роль в достижении требуемой производительности».

Результаты были получены в ходе полномасштабного тестирования, добавил эксперт, отметив, что меньшие тестовые партии иногда могут давать более высокие результаты в бенчмарках. Ранее Samsung заявляла о достижении скорости передачи данных до 11,7 Гбит/с. Компания SK hynix, которая в сентябре прошлого года анонсировала первую в отрасли разработку чипов HBM4, также заявила, что её продукт достиг скорости до 11,7 Гбит/с.

По словам эксперта, для Samsung сочетание 1c-техпроцесса DRAM с 4-нанометровым логическим кристаллом, производимым на собственном заводе, обеспечило большую гибкость проектирования в отношении плотности сквозных соединений и трассировки, что позволило достичь более высоких скоростей ввода-вывода.

В отличие от этого, HBM4 от SK hynix использует 10-нанометровый техпроцесс DRAM пятого поколения (1b-техпроцесс) и 12-нанометровый логический кристалл, производимый TSMC.

После последних квалификационных испытаний SK hynix, как сообщается, переработала свои чипы HBM4, сохранив тот же 1b-техпроцесс, и теперь ожидает результатов повторных оценок, сообщили источники в отрасли.

Компании Samsung и SK hynix планируют объявить о своих финансовых результатах за четвертый квартал в четверг, и ожидается, что они предоставят обновленную информацию о заказах на память HBM4 и спросе со стороны клиентов.

Время имеет решающее значение для поставщиков памяти. Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг ранее в этом месяце заявил, что платформа следующего поколения Vera Rubin уже находится в «полномасштабном производстве» и ее запуск запланирован на вторую половину этого года.

herim@heraldcorp.com

#южнаякорея #корея #политика #экономика #промышленность #технология #медицина #искусственныйинтеллект #гаджеты #компьютеры #память #бизнес #финансы #фондовыйрынок #общество #культура #искусство #азия