Поиск

SK hynix представила 238-слойную флэш-память 4D NAND


Изображение 238-слойной четырехмерной флэш-памяти NAND SK hynix (SK hynix)


Во вторник SK hynix обнародовала планы по массовому производству первой в отрасли 238-слойной четырехмерной флэш-памяти NAND в первой половине 2023 года.


На Саммите по флэш-памяти 2022 (Flash Memory Summit of 2022), который проходил в Санта-Кларе, штат Калифорния, Чхве Чжон Дал, глава отдела разработки NAND в SK hynix, сказал, что новейшая флэш-память NAND, которая может похвастаться самым большим количеством слоев и самой высокой плотностью ячеек на трех уровнях в отрасли, был опробован клиентами после завершения разработки в июле.


Благодаря технологическому прорыву южнокорейский производитель чипов смог увеличить скорость передачи данных до 2,4 гигабит в секунду, что на 50% больше, чем у предшественника - 176-слойной флэш-памяти 4-D NAND, разработанной в декабре 2020 года.


Более того, новый чип стал более энергоэффективным: его энергопотребление сократилось на 21 процент по сравнению с предшественником. Размер корпуса также был уменьшен, что повысило эффективность производства на 34% по сравнению с чипами предыдущего поколения.


Эта новость появилась спустя недели после того, как ее американский конкурент Micron Technology объявила о поставках 232-слойного продукта флэш-памяти NAND — продукта, который тогда считался имеющим наибольшее количество слоев.


SK hynix заявила, что 238-слойная флэш-память 4-D NAND с емкостью хранения 512 Гбит сначала будет поставляться с клиентским твердотельным накопителем для персональных компьютеров. Одновременно с этим компания собирается выпустить больше продуктов, совместимых со смартфонами и серверами. Кроме того, в 2023 году дебютирует продукт флэш-памяти NAND емкостью 1 терабит.


SK hynix разработала первую в мире флэш-память 4-D NAND в 2018 году. С тех пор компания применяет такие технологии, как «флэш-память с ловушкой заряда» — технология, которая снижает нагрузку на память за счет изоляционных слоев — и «периферия под ячейкой» —когда периферийные схемы размещаются под массивом ячеек для максимизации эффективности производства — для технологии 4-D стекирования.


(consnow@heraldcorp.com)


#южнаякорея #корея #политика #экономика #промышленность #технология #компьютер #гаджеты #общество #бизнес #культура