(Домашняя страница официального вебсайта Micron)
С недавним объявлением компании Micron об изготовлении 176-слойного чипа NAND Flash на лидера рынка Samsung Electronics усиливается давление в связи с запоздалым выпуском нового продукта.
Вплоть до начала этого года многие ожидали, что в этом году Samsung объявит о массовом производстве своей 3D V-NAND Flash седьмого поколения.
Однако отраслевые инсайдеры заявили, что южнокорейский гигант в области компьютерных чипов, похоже, изменил планы из-за технологических проблем, которые он еще не преодолел.
Изначально Samsung планировал представить NAND нового поколения с более чем 190 слоями ячеек, которые могли бы стать самым многослойным чипом NAND, если бы план прошел гладко.
«По неизвестным технологическим причинам цель компании по слоям была уменьшена до 176 слоев», - сказал представитель отрасли.
Задержка с продвижением Samsung в области чипов NAND предполагает сокращение технологического разрыва между Samsung и другими конкурентами, отмечают наблюдатели рынка.
Ходят слухи, что Samsung перешла от своей оригинальной технологии «одиночного стека», которая требует меньшего количества процессов и материалов и, следовательно, является менее дорогостоящей, к «двойному стеку», так как ей было сложно укладывать более 128 слоев.
«В то время как Micron и SK hynix использовали технологию двойного стека для добавления большего количества слоев к микросхемам NAND, Samsung придерживалась технологии одинарного стека до 200 слоев, но, похоже, осознала технологические ограничения», - пояснил источник, знакомый с технологией памяти.
Технология двойного стека, при которой две меньшие слой NAND-чипов размещаются друг на друге, считается более простой и доступной.
Samsung отказывается подтвердить, что его первоначальный план по разработке NAND следующего поколения откладывается.
Но технологический гигант признает, что теперь он отстает от Micron в подготовке к анонсу новой технологии.
«Из-за смены технологий преобразование производственных процессов потребует больше времени и (больше) затрат», - сказал представитель Samsung. «Однако мы планируем представить следующий продукт NAND в следующем году, как и запланировано».
Наряду с усилиями по наложению большего количества слоев на чипы NAND, Samsung также ищет технологические инновации для увеличения объема данных на ячейку с высокой степенью безопасности.
Хотя большинство доступных в настоящее время ячеек микросхемы NAND содержат 3 бита (это называется методом «трехуровневой ячейки») Samsung стремится увеличить объем ячейки с помощью технологических достижений.
«По мере того, как устройства становятся все меньше и меньше, может оказаться невозможным дальнейшее наращивание уровней NAND», - сказал представитель Samsung. «Отрасль пытается найти решения на данную проблему».
Сообщается также, что SK hynix приступила к разработке 176-слойной флэш-памяти 4D NAND, чтобы догнать ведущих конкурентов.
Благодаря недавнему объявлению о приобретении подразделения Intel по NAND-памяти, SK hynix ускоряет свое продвижение на рынок NAND.
Подразделение Intel имеет сильное технологическое преимущество перед другими производителями NAND, которое представляет собой технологию четырехуровневой ячейки, позволяющую хранить 4-битные данные на одну ячейку. Эта технология NAND большого объема пользуется большим спросом на корпоративном рынке.
Поскольку SK hynix стремится увеличить долю своего бизнеса в области NAND до 40 процентов от общего объема продаж компании за счет приобретения бизнеса Intel, она может еще больше сократить разрыв между собой и компанией Samsung, который в настоящий момент является №1 на рынке.
По данным исследователя рынка Omdia, в прошлом году Samsung был крупнейшим поставщиком NAND с 35,9%, за ним следует японская Kioxia с 19%, Western Digital с 13,8%, Micron с 11,1% и SK hynix с 9,9%.
Ожидается, что после поглощения подразделения Intel компания SK hynix станет вторым по величине поставщиком NAND с точки зрения доли рынка.
Сон Су Хён (song@heraldcorp.com)
Commenti